Científicos del Instituto Internacional de Agricultura Tropical (IITA) en Nigeria y sus socios han identificado marcadores moleculares asociados con la resistencia al gorgojo del banano, una de las plagas más destructivas del cultivo que puede causar pérdidas de rendimiento de hasta el 100%.

Las bananas y los plátanos son importantes alimentos básicos y fuentes de ingresos para millones de personas en todo el mundo, especialmente en el África subsahariana. El barrenador del gorgojo del banano, Cosmopolites sordidus (Germar), es una de las principales plagas del banano que limita la producción de banano y plátano. Las larvas del gorgojo del banano se alimentan de los cormos del banano, lo que obstruye la absorción de agua y nutrientes y hace que las plantas se caigan. Las pérdidas de rendimiento de esta plaga empeoran el crecimiento de una nueva planta de los retoños después de cosechar el cultivo original. Esto se debe a la acumulación de la infestación. 

Aunque hay métodos para reducir la presión de los gorgojos en un campo de banano, cultivar variedades resistentes es la única forma sostenible de combatir esta plaga. Desafortunadamente, la mayoría de las variedades de banano cultivadas son susceptibles a esta plaga. Aunque la mejora del banano a través del cruzamiento ha tenido éxito con los híbridos en África Oriental y el resto del mundo productor de banano, el proceso es lento, tedioso y costoso, y lleva hasta dos décadas.  El uso de marcadores moleculares promete acelerar el proceso de selección al seleccionar el material bueno y resistente en el vivero, reduciendo los largos ciclos de selección en el campo que toman muchos años.

El equipo de investigación utilizó una forma no convencional de identificar la región asociada con la resistencia llamada “mapeo continuo” para identificar los marcadores. Los marcadores identificados asociados con la resistencia al daño del gorgojo se utilizarán en el desarrollo de herramientas moleculares para el mejoramiento asistido por marcadores en bananos. 

Más información en IITA News.

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